Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs avec au moins trois bornes. Un petit courant ou de tension par une borne est utilisé pour contrôler le flux de courant à travers les autres. Ils peuvent donc être considérés à se comporter comme des soupapes. Leurs utilisations les plus importantes sont les commutateurs et amplificateurs. Transistors viennent en plusieurs types. Ceux bipolaires npn ou ont soit couches pnp, avec une avance fixée à chacun d'eux. Les conducteurs sont à la base, l'émetteur et le collecteur. La base est utilisée pour contrôler le flux de courant à travers les deux autres. L'émetteur émet des électrons libres dans la base, et le collecteur recueille les électrons libres de la base. Un transistor npn a la base en tant que couche intermédiaire P, et l'émetteur et le collecteur en tant que les deux n couches prenant en sandwich la base.
Transistors sont modélisés comme des diodes dos-à-dos. Pour une npn, le base-émetteur se comporte comme une diode polarisée en direct et la jonction base-collecteur se comporte comme une diode polarisée en inverse. Un circuit à transistors est largement utilisé connu sous le nom CE ou borne d'émetteur commun, où le côté masse de la source d'alimentation est connecté à l'émetteur.
Mesurer la résistance entre le collecteur et l'émetteur. Pour ce faire, en plaçant le multimètre sur le réglage de la résistance et en plaçant une sonde sur la borne appropriée. Si vous n'êtes pas sûr de plomb est le collecteur et celui qui est l'émetteur, reportez-vous à l'emballage du transistor est venu ou les spécifications sur le site Web du fabricant. Inversez les sondes et mesurer de nouveau la résistance. Il faut lire dans la gamme de megaohm pour les deux sens. Dans la négative, le transistor est endommagé.
Mesurer la marche avant et arrière résistances des fils de base-émetteur. Pour ce faire, en plaçant la sonde rouge sur la base et la sonde noire sur l'émetteur et ensuite inverser. Calculer l'inverse de rapport de marche avant. Si cela ne dépasse pas 1,000: 1, le transistor est endommagé.
Répétez l'étape 2 pour la marche avant et arrière résistances des conducteurs collecteur-base.
Câbler un circuit de CE. Utiliser une tension de base du V 3 qui est connecté à une résistance de 100k. Placez la résistance 1k au collecteur et connectez l'autre extrémité de celui-ci à la batterie de 9 volts. L'émetteur doit aller à terre.
Mesure "VCE," la tension entre le collecteur et l'émetteur.
Mesure "Vbe," la tension entre l'émetteur et la base. Idéalement, ce devrait être autour de 0,7 V.
Calculer Vce.
Vce = Vc - Ve
Depuis ce est un circuit commun de connexion de l'émetteur, Ve = 0, et donc Vce devrait se rapprocher de la valeur de la deuxième batterie. Comment comparer le calcul de la valeur de mesure à l'étape 5?
Calculer "Vr," la tension de base à travers la résistance. La source de tension de base Vbb = 3 V, qui est la batterie. Vbe varie de 0,6 à 0,7 V pour un transistor de silicium. Supposons Vbe = Vb = 0,7 V. Utilisation de la loi de Kirchhoff pour la gauche; boucle de base de la main, Vr = Vbb - Vbe = 3 V - 0,7 V = 2,3 V.
Calculer "Ib," le courant à travers la résistance de base. Utilisez loi V = IR d'Ohm. L'équation est Ib = Vbb - Vbe / Rb = 2,3 V / 100k ohms = 23 uA (microampères).
Calculer le collecteur de courant Ic. Pour ce faire, utilisez la bêta gain DC Bbc. Bbc est un gain de courant depuis un petit signal à la base crée un courant plus large au niveau du collecteur. Supposons Bbc = 200. En utilisant Ic = BbcIb = 200 23 uA, la réponse est de 4,6 mA.